一、生產(chǎn)線上的靜電及其危害

     1、半導(dǎo)體和IC生產(chǎn)線上的靜電及其危害：

     ①、穿著尼龍衣、塑膠基底鞋緩慢在清潔地板上走動(dòng)，人身會(huì)帶7KV-8KV電壓。

     ②、玻璃纖維制成的晶體載料盒滑過(guò)聚丙烯桌面時(shí)，易產(chǎn)生10KV靜電。

     ③、晶片裝配線：晶片5KV，晶片裝料盒35KV，工作服10KV，桌面10KV，有機(jī)玻璃蓋8KV，石英晶體1.5KV，晶片托盤6KV。④光刻間塑料地面500V-1000V，金屬網(wǎng)格地面也是500V-1000V，擴(kuò)散間塑料地面500V-1500V瓷磚地面也是500V-1500V，塑料墻面約700V，塑料頂棚0-1000V，鋁板送風(fēng)口，回風(fēng)口500V-1000V，金屬活動(dòng)皮革椅面500V-3000V。

     2、半導(dǎo)體和IC生產(chǎn)線上的靜電危害：

    ①、靜電庫(kù)侖力的危害：靜電庫(kù)侖國(guó)作用下吸附的粉塵、污物，可能帶給元器件，從而增大泄露或造成短路，使性能受損，成品率大大下降。如粉塵粒徑〉100微米，鋁線寬度約100微米，薄膜厚度在50微米以下時(shí)，濟(jì)易使產(chǎn)品報(bào)廢，這種情形多發(fā)生在腐蝕清洗、光刻、點(diǎn)焊和封裝等工藝過(guò)程中。

      ②、靜電放電引起的危害：如有數(shù)千、數(shù)萬(wàn)伏的高電位物體發(fā)生脈沖刷形放電或火花放電時(shí)，瞬間會(huì)有很高的放電電流流向大地時(shí)，形成脈沖狀的電流峰位在20A，造成可觀的影響，靜電放電（ESD）還伴隨著電磁波發(fā)射，會(huì)引起種種危害。A、MOSIC等半導(dǎo)體器件將被靜電放電（ESD）擊穿或半擊穿。MOS場(chǎng)效應(yīng)管其柵極是從氧化膜引出，柵極與襯底間是隔著一層氧化膜，當(dāng)柵極與襯底間的電壓超過(guò)一定值，氧化膜便被擊穿，如果MOSIC，則全部報(bào)廢了當(dāng)施加電壓于天UB=50-100V，氧化膜便會(huì)被擊穿，因?yàn)闁艠O電容很小（約幾個(gè)微微法），輸入阻搞很高（約1014Ω以上），這樣，少量的電荷就會(huì)產(chǎn)生很高電壓，電荷也很難匯漏，只要大于50V（無(wú)保護(hù)）就會(huì)燒毀，所以，只要人手一摸柵極，元件就壞了，因?yàn)槿藥щ姵^(guò)50V是平常事。

二、各類絕緣膜的耐壓值絕緣膜 絕緣耐壓MV/cm 介電常數(shù)  

        Si02Si3NTa202Tr02TiO2Nb2O5 10105-8415 472522-2220-4030-100
三、各類元件典型耐靜電壓數(shù)值類型 耐放電壓值（v）
VMOSMOSFETGaAsFETEP ROM運(yùn)算放大器JFETC MOS肖特基二極管雙極型晶體管ECL可控硅肖特基TTL混合電路SAW 30-1800100-200100-300100190-2500140-700250-3000300-3000380-7000500-1500680-1100300-2500500150-500，我們可以了解到集成電路對(duì)靜電敏感性，各種芯片不同之處在于所能承受的耐靜電壓值不同。實(shí)際工用條件中，幾乎20V的靜電壓直接接觸器件就足以毀壞或降低性能。

四、組裝中要損壞元器件，或造成電子儀器設(shè)備故障或誤動(dòng)作。

     靜電放電損壞元器件使整塊印刷電路板失去作用，造成經(jīng)濟(jì)損失；靜電放電的噪聲引起機(jī)器設(shè)備的誤動(dòng)作或故障一間接放電影響，電容放電測(cè)得結(jié)果，除產(chǎn)生瞬間脈沖大電流外，還會(huì)產(chǎn)生跨越數(shù)兆赫茲，甚至數(shù)百赫茲的強(qiáng)大噪聲。近年來(lái)，靜電放電噪聲引起計(jì)算機(jī)誤動(dòng)作的基礎(chǔ)研究取得很大進(jìn)展。放電時(shí)產(chǎn)生的電磁波進(jìn)入接收機(jī)后，會(huì)產(chǎn)生雜音，干擾信號(hào)從而降低信息質(zhì)量，或引起信息誤碼。

      3、靜電感應(yīng)的危害受靜電感應(yīng)的物體與帶電體完全等價(jià)，并有靜電力學(xué)現(xiàn)象和放電現(xiàn)象的發(fā)生，如果感應(yīng)物體的電阻是較小良導(dǎo)體時(shí)，還會(huì)發(fā)生火花放電而造成危害。

       A、生產(chǎn)操作的車間里。高電壓設(shè)備、線路附近，人員在操作焊接、擺弄MOS器件或MOSIC時(shí)，由于靜電感應(yīng)，極易引起人體對(duì)器件的靜電放電，從而損壞器件。

       B、管道輸送的空調(diào)氣流（離子流），對(duì)人體吹風(fēng)時(shí)相當(dāng)于充電，當(dāng)帶電人體接觸敏感器件，靜電放電會(huì)擊穿損壞器件。對(duì)電子設(shè)備生產(chǎn)過(guò)程的靜電危害對(duì)某計(jì)算機(jī)廠生產(chǎn)過(guò)程中的靜電危害進(jìn)行分析，分析結(jié)果，計(jì)算機(jī)生產(chǎn)過(guò)程中的靜電危害階段 靜電危害部位器件制造 切斷、接線、檢測(cè)、傳遞、交貨、運(yùn)輸插件制造 元器件入廠檢測(cè)驗(yàn)收、保管分發(fā)、插件插裝、焊接、清洗、檢測(cè)、傳弟、包裝運(yùn)輸整機(jī)裝聯(lián) 插件驗(yàn)收貯存、整機(jī)裝聯(lián)、調(diào)試、檢測(cè)、傳遞、包裝、運(yùn)輸，整機(jī)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)都會(huì)遭遇靜電破壞。主要環(huán)節(jié)包括：器件的采購(gòu)運(yùn)輸；器件進(jìn)廠檢驗(yàn)、驗(yàn)收；器件儲(chǔ)存、領(lǐng)料；器件插裝、焊接；產(chǎn)品組裝、檢驗(yàn)；產(chǎn)品包裝，發(fā)貨。除電子元件、電子設(shè)備生產(chǎn)過(guò)程中受到靜電破壞外，就是在產(chǎn)品使用過(guò)程中，也會(huì)受到靜電的危害。歸納起來(lái)，靜電引起的危害足以造成電子器件和電子設(shè)備性能失調(diào)，其對(duì)電子器件、設(shè)備危害的狀況，靜電對(duì)半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備的危害器件或設(shè)備種類 危害狀況，半導(dǎo)體器件 施加超過(guò)耐壓能力的電場(chǎng)導(dǎo)致器件擊穿、半擊穿、性能劣化磁帶錄相機(jī) 由于靜電吸附灰塵，促使磁頭磨損，磁帶運(yùn)轉(zhuǎn)**，由于制造時(shí)混入灰塵而漏失信息，產(chǎn)生噪聲、顫音。電子計(jì)算機(jī) 靜電放電引起的噪聲使系統(tǒng)停機(jī)、記錄錯(cuò)誤、漏失信息，計(jì)算機(jī)外圍設(shè)備 由于靜電力使卡片難于整理、磁鼓**、機(jī)械性能不穩(wěn)定測(cè)量?jī)x器類 零點(diǎn)變動(dòng)，誤信號(hào)